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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
総合得点
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
総合得点
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
17
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,061.2
12.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
46
周辺 -53% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
30
読み出し速度、GB/s
4,937.3
17.0
書き込み速度、GB/秒
2,061.2
12.7
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
759
3142
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAMの比較
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
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Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB RAMの比較
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
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