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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB vs Kingston HX316C10F/4 4GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
総合得点
Kingston HX316C10F/4 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
67
周辺 54% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
11.2
6.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
7.6
5.0
テスト平均値
考慮すべき理由
Kingston HX316C10F/4 4GB
バグを報告する
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
31
67
読み出し速度、GB/s
11.2
6.3
書き込み速度、GB/秒
7.6
5.0
メモリ帯域幅、mbps
12800
12800
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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1247
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Frequency (Mhz) *
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