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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB vs Kingston HX316C10F/4 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Punteggio complessivo
Kingston HX316C10F/4 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
67
Intorno 54% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.2
6.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.6
5.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston HX316C10F/4 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
31
67
Velocità di lettura, GB/s
11.2
6.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.6
5.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2026
1247
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB Confronto tra le RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
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