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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB vs Kingston HX316C10F/4 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Kingston HX316C10F/4 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
67
En 54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.2
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.6
5.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston HX316C10F/4 4GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
31
67
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
6.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.6
5.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2026
1247
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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