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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
総合得点
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
45
周辺 38% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
12.4
11.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.6
8.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
45
読み出し速度、GB/s
12.4
11.6
書き込み速度、GB/秒
9.6
8.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2329
2036
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
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Kingston 9965589-031.D01G 2GB
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