RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
比較する
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
総合得点
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
34
周辺 18% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
12.4
10
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.6
6.2
テスト平均値
考慮すべき理由
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
34
読み出し速度、GB/s
12.4
10.0
書き込み速度、GB/秒
9.6
6.2
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2329
1693
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB RAMの比較
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link