Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB

総合得点
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

総合得点
star star star star star
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB

Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB

相違点

  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 50
    周辺 40% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    10 left arrow 8.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.8 left arrow 5.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    30 left arrow 50
  • 読み出し速度、GB/s
    8.8 left arrow 10.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.6 left arrow 7.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    1344 left arrow 2159
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較