RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB против Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
50
Около 40% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
10
8.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.8
5.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
50
Скорость чтения, Гб/сек
8.8
10.0
Скорость записи, Гб/сек
5.6
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1344
2159
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link