RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
50
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10
8.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
50
Prędkość odczytu, GB/s
8.8
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1344
2159
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link