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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
総合得点
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
41
周辺 32% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
11.8
11.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
7.9
7.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
12800
10600
周辺 1.21% 高帯域
考慮すべき理由
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
41
読み出し速度、GB/s
11.8
11.6
書き込み速度、GB/秒
7.9
7.3
メモリ帯域幅、mbps
12800
10600
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1920
1438
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