Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Pontuação geral
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    28 left arrow 41
    Por volta de 32% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    11.8 left arrow 11.6
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    7.9 left arrow 7.3
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 10600
    Por volta de 1.21% maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    28 left arrow 41
  • Velocidade de leitura, GB/s
    11.8 left arrow 11.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    7.9 left arrow 7.3
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1920 left arrow 1438
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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