Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    28 left arrow 41
    Wokół strony 32% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    11.8 left arrow 11.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    7.9 left arrow 7.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    12800 left arrow 10600
    Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    28 left arrow 41
  • Prędkość odczytu, GB/s
    11.8 left arrow 11.6
  • Prędkość zapisu, GB/s
    7.9 left arrow 7.3
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1920 left arrow 1438
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania