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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

総合得点
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Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB

Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 49
    周辺 51% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.5 left arrow 1,871.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62% 高帯域
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 16
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    24 left arrow 49
  • 読み出し速度、GB/s
    16.0 left arrow 4,345.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.5 left arrow 1,871.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
Other
  • 商品説明
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • タイミング / クロック速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2925 left arrow 649

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