RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
49
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1,871.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
24
49
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
4,345.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
1,871.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
5300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
649
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link