RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
49
Около 51% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,871.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR2
Задержка в PassMark, нс
24
49
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
4,345.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
1,871.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
5300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
649
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link