Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

総合得点

G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

24 29

周辺 17% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 17000

周辺 1.13% 高帯域

G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB

考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

20.2 16

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

13.1 12.5

テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

24 29
読み出し速度、GB/s

16.0 20.2
書き込み速度、GB/秒

12.5 13.1
メモリ帯域幅、mbps

19200 17000

Other

商品説明

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2925 3241

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB

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Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB

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Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB

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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB

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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

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Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB

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Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB

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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

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Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB

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