RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3241
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link