RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3241
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link