RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
比較する
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
総合得点
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
34
周辺 29% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
17000
周辺 1.13% 高帯域
考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
19.1
16
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.7
12.5
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
34
読み出し速度、GB/s
16.0
19.1
書き込み速度、GB/秒
12.5
13.7
メモリ帯域幅、mbps
19200
17000
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2925
3341
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAMの比較
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB RAMの比較
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link