RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3341
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link