RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB

Kingston K531R8-MIN 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB

総合得点
star star star star star
Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston K531R8-MIN 4GB 考慮すべき理由
Kingston K531R8-MIN 4GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.4 left arrow 13.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.6 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    13.4 left arrow 17.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 14.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2445 left arrow 3563

Kingston K531R8-MIN 4GB RAMの比較

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
メモリRAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
メモリRAM