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Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB vs Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

総合得点
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Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB

Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB

総合得点
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB 考慮すべき理由
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    44 left arrow 121
    周辺 -175% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13 left arrow 2.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.2 left arrow 2.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    121 left arrow 44
  • 読み出し速度、GB/s
    2.5 left arrow 13.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    2.2 left arrow 8.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    425 left arrow 2069

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