RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Porównaj
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB vs Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
121
Wokół strony -175% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13
2.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
2.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
121
44
Prędkość odczytu, GB/s
2.5
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
2.2
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
12800
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
425
2069
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link