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Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Confronto
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB vs Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
44
121
Intorno -175% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13
2.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
2.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
121
44
Velocità di lettura, GB/s
2.5
13.0
Velocità di scrittura, GB/s
2.2
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
12800
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
425
2069
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB Confronto tra le RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
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