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Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Vergleichen Sie
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB vs Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Gesamtnote
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
44
121
Rund um -175% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13
2.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
2.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Rund um 1.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
121
44
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2.5
13.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2.2
8.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
12800
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
425
2069
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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