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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6N1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6N1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB

総合得点
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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6N1 4GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6N1 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6N1 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6N1 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.5 left arrow 11.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.3 left arrow 7.9
    テスト平均値
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 42
    周辺 -40% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6N1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    13.5 left arrow 11.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.3 left arrow 7.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2114 left arrow 1762

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