RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6N1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Porównaj
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6N1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6N1 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6N1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6N1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
42
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.5
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2114
1762
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6N1 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6N1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link