Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

総合得点

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

総合得点

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

考慮すべき理由
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

3 16.8

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

2,077.3 12.8

テスト平均値

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

考慮すべき理由
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

25 61

周辺 -144% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 6400

周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

61 25
読み出し速度、GB/s

3,835.2 16.8
書き込み速度、GB/秒

2,077.3 12.8
メモリ帯域幅、mbps

6400 21300

Other

商品説明

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

606 2989

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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