RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Comparez
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Note globale
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Note globale
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,077.3
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
61
Autour de -144% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
61
25
Vitesse de lecture, GB/s
3,835.2
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,077.3
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
606
2989
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link