RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,077.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
61
Wokół strony -144% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
2989
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link