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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
比較する
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
総合得点
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
総合得点
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
16.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
34
71
周辺 -109% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
15.2
1,322.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
5300
周辺 4.02 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
71
34
読み出し速度、GB/s
2,831.6
16.6
書き込み速度、GB/秒
1,322.6
15.2
メモリ帯域幅、mbps
5300
21300
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
399
3477
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
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Kingston KF552C40-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
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