RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
71
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3477
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link