RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
71
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.2
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
34
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
16.6
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3477
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link