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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
総合得点
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
総合得点
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
71
周辺 -173% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
23.1
2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
19.0
1,322.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
5300
周辺 4.02 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
71
26
読み出し速度、GB/s
2,831.6
23.1
書き込み速度、GB/秒
1,322.6
19.0
メモリ帯域幅、mbps
5300
21300
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
399
4276
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
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Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
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SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
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