RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
71
Около -173% меньшая задержка
Выше скорость чтения
23.1
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.0
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
26
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
23.1
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
19.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
4276
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link