RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
71
Wokół strony -173% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.1
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.0
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
23.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
19.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
4276
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link