RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston 9905624-004.A00G 4GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

総合得点
star star star star star
Kingston 9905624-004.A00G 4GB

Kingston 9905624-004.A00G 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 16.3
    テスト平均値
Kingston 9905624-004.A00G 4GB 考慮すべき理由
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 71
    周辺 -209% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 1,322.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    71 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    2,831.6 left arrow 16.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,322.6 left arrow 12.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    399 left arrow 2512

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB

Kingston 9905624-004.A00G 4GB RAMの比較

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
メモリRAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
メモリRAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
メモリRAM
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
メモリRAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
メモリRAM