RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
71
Autour de -209% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
23
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
2512
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link