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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
総合得点
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
総合得点
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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考慮すべき理由
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
32
35
周辺 -9% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.3
13.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.6
9.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
35
32
読み出し速度、GB/s
13.7
17.3
書き込み速度、GB/秒
9.6
12.6
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2312
3023
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAMの比較
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
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