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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
比較する
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
総合得点
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
総合得点
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
39
83
周辺 53% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
5
14.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
8.1
1,597.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
39
83
読み出し速度、GB/s
5,022.9
14.3
書き込み速度、GB/秒
1,597.0
8.1
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
753
1774
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAMの比較
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Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB RAMの比較
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
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