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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
総合得点
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
総合得点
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
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考慮すべき理由
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
29
周辺 -7% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
12.2
9.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
7.8
5.1
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
27
読み出し速度、GB/s
9.4
12.2
書き込み速度、GB/秒
5.1
7.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
12800
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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1763
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
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