RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Comparar
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Pontuação geral
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
29
Por volta de -7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.2
9.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
5.1
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
29
27
Velocidade de leitura, GB/s
9.4
12.2
Velocidade de escrita, GB/s
5.1
7.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1432
1763
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link