Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Punteggio complessivo
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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    27 left arrow 29
    Intorno -7% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    12.2 left arrow 9.4
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    7.8 left arrow 5.1
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    29 left arrow 27
  • Velocità di lettura, GB/s
    9.4 left arrow 12.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    5.1 left arrow 7.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1432 left arrow 1763
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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