Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Note globale
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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

Note globale
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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    27 left arrow 29
    Autour de -7% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    12.2 left arrow 9.4
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    7.8 left arrow 5.1
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    29 left arrow 27
  • Vitesse de lecture, GB/s
    9.4 left arrow 12.2
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    5.1 left arrow 7.8
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1432 left arrow 1763
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons