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PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

総合得点
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点
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Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB 考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 29
    周辺 7% 低遅延
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB 考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    22.8 left arrow 13.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.9 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 22.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 16.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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