Porównanie pamięci RAM PNY Electronics PNY 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Wynik ogólny

PNY Electronics PNY 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

27 29

Wokół strony 7% niższe opóźnienia

Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

22.8 13.8

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

16.9 8.4

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 10600

Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

PNY Electronics PNY 2GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2274 3792

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns