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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
総合得点
PNY Electronics PNY 2GB
総合得点
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
33
周辺 18% 低遅延
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.8
13.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.5
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
33
読み出し速度、GB/s
13.8
15.8
書き込み速度、GB/秒
8.4
12.5
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2274
2994
PNY Electronics PNY 2GB RAMの比較
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
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SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
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Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
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