RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
33
Около 18% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
15.8
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2994
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link