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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
総合得点
PNY Electronics PNY 2GB
総合得点
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
30
周辺 10% 低遅延
考慮すべき理由
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
16.6
13.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.3
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
30
読み出し速度、GB/s
13.8
16.6
書き込み速度、GB/秒
8.4
12.3
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2274
3050
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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