RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3050
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link